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FDP5645详细

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

FDP5645厂商

Fairchild Semiconductor

FDP5645参数

包装:管件,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 40A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):107nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4468pF @ 30V,功率 - 最大值:125W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220
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